【晶体管 - FET，MOSFET - 单_STP65NF06】封装/厂家_STP65NF06中文资料_价格

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型号： STP65NF06
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STP65NF06产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STP65NF06由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP65NF06价格参考￥询价-￥询价。STMicroelectronicsSTP65NF06封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 60V 60A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP65NF06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP65NF06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 60V 60A TO-220MOSFET N-channel MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	60 A
Id-连续漏极电流	60 A
品牌	STMicroelectronics
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP65NF06STripFET™ II
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产品型号	STP65NF06
Pd-PowerDissipation	110 W
Pd-功率耗散	110 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	14 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	14 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	60 ns
下降时间	16 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	75nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	14 毫欧 @ 30A，10V
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	497-7529-5 STP65NF06-ND
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF128531?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	40 ns
功率-最大值	110W
包装	管件
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	60A （Tc）
系列	STP65NF06
通道模式	Enhancement
配置	Single

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