【晶体管 - FET，MOSFET - 单_STP60NF10】封装/厂家_STP60NF10中文资料_价格

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型号： STP60NF10
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STP60NF10产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STP60NF10由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP60NF10价格参考。STMicroelectronicsSTP60NF10封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP60NF10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP60NF10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 100V 80A TO-220MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	80 A
Id-连续漏极电流	80 A
品牌	STMicroelectronics
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP60NF10STripFET™ II
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产品型号	STP60NF10
Pd-PowerDissipation	300 W
Pd-功率耗散	300 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	23 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	23 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	56 ns
下降时间	23 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4270pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	104nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	23 毫欧 @ 40A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	497-4384-5
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF83588?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	82 ns
功率-最大值	300W
包装	管件
单位重量	1.438 g
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
正向跨导-最小值	78 S
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	80A （Tc）
系列	STP60NF10
通道模式	Enhancement
配置	Single

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