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  • 型号: STP5N60M2
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP5N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP5N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTP5N60M2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP5N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP5N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220MOSFET N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh II

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.7 A

Id-连续漏极电流

3.7 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP5N60M2MDmesh™ II Plus

mouser_ship_limit

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数据手册

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产品型号

STP5N60M2

Pd-PowerDissipation

45 W

Pd-功率耗散

45 W

Qg-GateCharge

4.5 nC

Qg-栅极电荷

4.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.26 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.26 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

165pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.4 欧姆 @ 1.85A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

497-14282-5
STP5N60M2-ND

功率-最大值

45W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

1.26 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

3.7 A

漏源极电压(Vdss)

600V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.7A (Tc)

系列

STP5N60M2

配置

Single

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