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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP5N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP5N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTP5N60M2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP5N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP5N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220MOSFET N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh II |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.7 A |
Id-连续漏极电流 | 3.7 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP5N60M2MDmesh™ II Plus |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | STP5N60M2 |
Pd-PowerDissipation | 45 W |
Pd-功率耗散 | 45 W |
Qg-GateCharge | 4.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 4.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.26 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.26 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 165pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.4 欧姆 @ 1.85A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | 497-14282-5 |
功率-最大值 | 45W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 1.26 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
漏极连续电流 | 3.7 A |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.7A (Tc) |
系列 | STP5N60M2 |
配置 | Single |