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  • 型号: STP4N150
  • 制造商: STMicroelectronics
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STP4N150产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP4N150由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP4N150价格参考。STMicroelectronicsSTP4N150封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1500V 4A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP4N150参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP4N150 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220MOSFET PowerMESH MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4 A

Id-连续漏极电流

4 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP4N150PowerMESH™

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产品型号

STP4N150

Pd-PowerDissipation

160 W

Pd-功率耗散

160 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1.5 kV

Vds-漏源极击穿电压

1.5 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

30 ns

下降时间

45 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

50nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 欧姆 @ 2A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-5091-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF83584?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

160W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工具箱

/product-detail/zh/Q7096737/497-8014-KIT-ND/3479580

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

3.5 S

漏源极电压(Vdss)

1500V(1.5kV)

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ST/MOSFET.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A (Tc)

系列

STP4N150

通道模式

Enhancement

配置

Single

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