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STP4N150产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP4N150由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP4N150价格参考。STMicroelectronicsSTP4N150封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1500V 4A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP4N150参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP4N150 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220MOSFET PowerMESH MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
Id-连续漏极电流 | 4 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP4N150PowerMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STP4N150 |
Pd-PowerDissipation | 160 W |
Pd-功率耗散 | 160 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.5 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 30 ns |
下降时间 | 45 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 欧姆 @ 2A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-5091-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF83584?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 45 ns |
功率-最大值 | 160W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工具箱 | /product-detail/zh/Q7096737/497-8014-KIT-ND/3479580 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 3.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 1500V(1.5kV) |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ST/MOSFET.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Tc) |
系列 | STP4N150 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |