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  • 型号: STP40N60M2
  • 制造商: STMicroelectronics
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STP40N60M2产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP40N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP40N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTP40N60M2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 34A(Tc) 250W(Tc) TO-220。您可以下载STP40N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP40N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STP40N60M2 是由 STMicroelectronics 生产的一款 N 沟道 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。它具有 600V 的耐压能力和 40A 的最大连续漏极电流,适用于多种高电压、中等功率的应用场景。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS)  
   STP40N60M2 常用于开关电源中的功率开关器件,如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。其低导通电阻(Rds(on) 典型值为 1.3Ω)和高耐压特性使其能够高效地处理高电压输入和输出转换。

2. 电机驱动  
   在工业控制和消费电子领域,该 MOSFET 可用于驱动中小型电机。例如,家用电器中的风扇、泵或压缩机控制,以及电动工具的电机驱动电路。

3. 逆变器  
   该型号适用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,作为功率级开关元件,实现直流到交流的转换。

4. 负载开关与保护电路  
   在需要高电压切换的应用中,STP40N60M2 可用作负载开关,同时提供过流保护和短路保护功能,确保系统安全运行。

5. 电动汽车和混合动力汽车(HEV/EV)辅助系统  
   尽管不是主驱逆变器的核心组件,但该 MOSFET 可用于车载充电器(OBC)、电池管理系统(BMS)和其他辅助电子设备中。

6. 固态继电器(SSR)  
   在需要替代传统机械继电器的地方,STP40N60M2 可用作固态继电器的核心开关元件,提供更快的开关速度和更长的使用寿命。

7. UPS(不间断电源)系统  
   在 UPS 系统中,该 MOSFET 可用于电池充放电管理、逆变电路或保护电路,以提高系统的可靠性和效率。

8. 照明应用  
   高亮度 LED 照明系统可能需要高压驱动电路,STP40N60M2 可用作恒流源或 PWM 调光控制器中的开关元件。

总之,STP40N60M2 凭借其高耐压、适中的导通电阻和良好的开关性能,广泛应用于各种工业、家电、汽车和能源管理领域,特别适合需要高可靠性且工作在较高电压范围内的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 34A TO220MOSFET N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh II

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

34 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP40N60M2MDmesh™ II Plus

mouser_ship_limit

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数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STP40N60M2

Pd-PowerDissipation

250 W

Pd-功率耗散

250 W

Qg-GateCharge

57 nC

Qg-栅极电荷

57 nC

RdsOn-漏源导通电阻

88 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

13.5 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2500pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

57nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

88 毫欧 @ 17A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

497-14222-5
STP40N60M2-ND

典型关闭延迟时间

96 ns

功率-最大值

250W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

88 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

650 V

漏极连续电流

34 A

漏源极电压(Vdss)

600V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

34A (Tc)

系列

STP40N60M2

配置

Single

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