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  • 型号: STP34NM60ND
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP34NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP34NM60ND价格参考¥32.78-¥65.05。STMicroelectronicsSTP34NM60ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 29A(Tc) 190W(Tc) TO-220。您可以下载STP34NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP34NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 29A TO-220ABMOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

29 A

Id-连续漏极电流

29 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP34NM60NDFDmesh™ II

数据手册

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产品型号

STP34NM60ND

Pd-PowerDissipation

190 W

Pd-功率耗散

190 W

Qg-GateCharge

80.4 nC

Qg-栅极电荷

80.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

110 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

110 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

53.4 ns

下降时间

61.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2785pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

80.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

110 毫欧 @ 14.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

497-11335-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251164?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

111 ns

功率-最大值

210W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

29A (Tc)

系列

STP34NM60ND

通道模式

Enhancement

配置

Single

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