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Datasheet下载- 型号： STP34NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP34NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP34NM60ND价格参考￥32.78-￥65.05。STMicroelectronicsSTP34NM60ND封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 29A（Tc） 190W（Tc） TO-220。您可以下载STP34NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP34NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP34NM60ND是由STMicroelectronics（意法半导体）制造的一款单通道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。它属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：STP34NM60ND广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。它的低导通电阻有助于减少功率损耗，提高效率，适用于需要高效能的电源设计。 2. 电机控制：在电机驱动电路中，STP34NM60ND可以用作开关元件，控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低导通电阻使其适合用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机等的驱动电路。 3. 电池管理系统：该MOSFET可用于电池保护电路中，防止过充、过放和短路等问题。通过精确控制充电和放电路径，确保电池的安全和寿命。 4. 工业自动化：在工业控制系统中，STP34NM60ND可以作为固态继电器或开关元件，用于控制电磁阀、传感器和其他执行机构。其耐用性和可靠性使得它在恶劣环境下也能稳定工作。 5. 汽车电子：该器件符合AEC-Q101标准，适用于汽车电子应用，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、空调系统等。其抗干扰能力强，能够在复杂的电磁环境中正常工作。 6. 消费电子产品：在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费电子产品中，STP34NM60ND可用于电源管理单元（PMU），提供高效的电源切换和电压调节功能。 7. 太阳能逆变器：在太阳能光伏发电系统中，STP34NM60ND可用于逆变器电路，将直流电转换为交流电，实现高效的能量转换。 总之，STP34NM60ND凭借其优异的电气性能和可靠性，在多个领域有着广泛的应用前景，能够满足不同场景下的高性能需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 29A TO-220ABMOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP34NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP34NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Qg-GateCharge | 80.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 80.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 53.4 ns |
| 下降时间 | 61.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2785pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 14.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-11335-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251164?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 111 ns |
| 功率-最大值 | 210W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Tc） |
| 系列 | STP34NM60ND |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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