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  • 型号: STP32NM50N
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STP32NM50N产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP32NM50N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP32NM50N价格参考¥19.01-¥19.01。STMicroelectronicsSTP32NM50N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 22A(Tc) 190W(Tc) TO-220。您可以下载STP32NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP32NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 500V 22A TO-220MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13.86 A

Id-连续漏极电流

13.86 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP32NM50NMDmesh™ II

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产品型号

STP32NM50N

Pd-PowerDissipation

190 W

Pd-功率耗散

190 W

Qg-GateCharge

62.5 nC

Qg-栅极电荷

62.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

130 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

130 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

9.5 ns

下降时间

23.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1973pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

62.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

130 毫欧 @ 11A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

497-13274-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF254000?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

110 ns

功率-最大值

190W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22A (Tc)

系列

STP32NM50N

配置

Single

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