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型号： STP31N65M5
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STP31N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP31N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTP31N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 650V 22A（Tc） 150W（Tc） TO-220。您可以下载STP31N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP31N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STP31N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）生产的单个MOSFET晶体管，具体为N沟道增强型金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有以下主要特性：

 1. 电气参数
- 最大漏源电压（VDS）：650V
- 连续漏极电流（ID）：31A（25°C时）
- 栅极阈值电压（VGS(th)）：4.0V 至 5.0V
- 导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（在VGS = 10V时）

 2. 应用场景

 电源管理
STP31N65M5广泛应用于各类电源管理系统中，例如：
- 开关电源（SMPS）：用于高效转换和稳压电路，其低导通电阻有助于减少功率损耗。
- 不间断电源（UPS）：作为关键的开关元件，确保在市电中断时能够快速切换到备用电池供电。

 工业控制
- 电机驱动：适用于直流无刷电机（BLDC）、步进电机等的驱动电路，实现精确的速度和位置控制。
- 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，负责将直流电转换为交流电。

 汽车电子
- 车载充电器：用于电动汽车或混合动力汽车的车载充电系统，确保高效的能量转换。
- 电动助力转向（EPS）：提供可靠的驱动信号，以增强驾驶体验。

 保护电路
- 过流保护：通过检测电流并迅速切断电路，防止过载损坏其他元器件。
- 短路保护：利用其快速响应特性，在发生短路时立即断开电源路径，保护整个系统免受损害。

 3. 封装形式
该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，便于安装和维护。此外，它还支持表面贴装技术（SMD），适合自动化生产线的需求。

总之，STP31N65M5凭借其高耐压、大电流承载能力和低导通电阻等优点，在多种工业、消费类及汽车电子应用中表现出色，是一款非常实用的MOSFET器件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 650V 22A TO-220MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	22 A
Id-连续漏极电流	22 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP31N65M5MDmesh™ V
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STP31N65M5
Pd-PowerDissipation	150 W
Pd-功率耗散	150 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	148 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	148 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	650 V
Vds-漏源极击穿电压	650 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	816pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	45nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	148 毫欧 @ 11A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220
其它名称	497-13110-5
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253433?referrer=70071840
功率-最大值	150W
包装	管件
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	22A （Tc）
系列	STP31N65M5