ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STP310N10F7
Datasheet下载- 型号： STP310N10F7
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP310N10F7由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP310N10F7价格参考￥18.26-￥18.26。STMicroelectronicsSTP310N10F7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 180A（Tc） 315W（Tc） TO-220。您可以下载STP310N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP310N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP310N10F7是意法半导体（STMicroelectronics）生产的单个MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于增强型N沟道MOSFET。它具有100V的漏源电压（VDS）、12A的连续漏极电流（ID）和低导通电阻（RDS(on)），这使得它非常适合用于多种电力电子应用。 以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS） STP310N10F7广泛应用于开关模式电源中，作为主开关器件。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高效率，减少功率损耗。适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器、反激式变换器等场合。 2. 电机驱动 在电机控制应用中，STP310N10F7可以作为H桥或半桥电路中的功率开关，用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。它的高电流承载能力和快速响应速度使其能够有效控制电机的速度和方向。 3. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，STP310N10F7可以用作充电/放电路径上的开关，以保护电池免受过充、过放、短路等故障的影响。其低导通电阻有助于降低功耗，延长电池寿命。 4. 负载开关 该MOSFET也可用于负载开关应用，如在便携式设备中实现电源管理。通过控制栅极电压，可以快速接通或断开负载，确保系统的稳定性和安全性。 5. 逆变器 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中，STP310N10F7可用作功率级开关，将直流电转换为交流电。其高效的开关性能有助于提高逆变器的整体效率。 6. LED驱动 在大功率LED照明系统中，STP310N10F7可用于调光控制和恒流驱动，确保LED灯的亮度稳定且节能高效。 7. 汽车电子 在汽车电子领域，STP310N10F7可用于车身控制系统、电动助力转向（EPS）、空调系统等，提供可靠的功率切换功能。 总之，STP310N10F7凭借其优异的电气特性和可靠性，适用于各种需要高效功率控制的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 100V 180A TO-220MOSFET N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 180 A |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP310N10F7DeepGATE™， STripFET™ VII |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP310N10F7 |
| Pd-PowerDissipation | 315 W |
| Pd-功率耗散 | 315 W |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 60A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13233-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF252381?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 315W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/stp310n10f7/50140 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180A （Tc） |
| 系列 | STP310N10F7 |
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