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STP26NM60ND产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP26NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP26NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTP26NM60ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 190W(Tc) TO-220。您可以下载STP26NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP26NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP26NM60ND 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有 600V 的耐压能力和 26A 的最大连续漏极电流,适用于高电压、中等功率的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) STP26NM60ND 可用于开关电源中的高频开关应用,例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 该 MOSFET 适合用于中小功率电机的驱动电路,如直流无刷电机(BLDC)、步进电机或其他类型的电机控制。其高电压承受能力可以满足各种电机启动和运行需求。 3. 逆变器 在光伏逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,STP26NM60ND 可作为关键的开关元件,用于将直流电转换为交流电,支持高效的能量转换过程。 4. 负载开关与保护电路 由于其高击穿电压和良好的热性能,该器件适用于需要高可靠性的负载开关和过流保护电路,例如工业设备、家用电器中的电源管理模块。 5. 电动车与电池管理系统 (BMS) 在电动车充电器、电池保护电路以及电池管理系统中,STP26NM60ND 能够提供稳定的开关性能,并确保系统的安全性和效率。 6. 工业自动化与控制 该 MOSFET 可广泛应用于工业自动化领域,例如固态继电器、电磁阀驱动、LED 驱动等,支持高效且可靠的电力传输和控制。 总之,STP26NM60ND 凭借其高电压、低导通电阻和出色的开关性能,非常适合需要高效率、高可靠性的电力电子应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220MOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
Id-连续漏极电流 | 21 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP26NM60NDFDmesh™ II |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | STP26NM60ND |
Pd-PowerDissipation | 190 W |
Pd-功率耗散 | 190 W |
Qg-GateCharge | 54.6 nC |
Qg-栅极电荷 | 54.6 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 145 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 14.5 ns |
下降时间 | 27.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1817pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54.6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 175 毫欧 @ 10.5A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | 497-14219-5 |
典型关闭延迟时间 | 69 ns |
功率-最大值 | 190W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 145 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
漏极连续电流 | 21 A |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Tc) |
系列 | STP26NM60ND |
配置 | Single |