ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STP25N10F7
Datasheet下载- 型号： STP25N10F7
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP25N10F7由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP25N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTP25N10F7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 25A（Tc） 50W（Tc） TO-220。您可以下载STP25N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP25N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP25N10F7 是由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这种器件广泛应用于多种电力电子系统中，特别是在需要高效开关和低导通电阻的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：STP25N10F7 常用于 DC-DC 转换器、开关电源 (SMPS) 和电池管理系统中。其低导通电阻 (Rds(on)) 有助于减少传导损耗，提高转换效率。在这些应用中，MOSFET 需要频繁地进行高速开关操作，以实现高效的电压调节。 2. 电机驱动：该 MOSFET 适用于无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机的驱动电路。它能够承受较大的电流波动，并且具备快速的开关速度，从而确保电机的平稳运行。此外，其低 Rds(on) 特性可以降低发热，延长设备寿命。 3. 负载切换：在消费电子和工业控制系统中，STP25N10F7 可用于控制负载的通断状态。例如，在 USB 充电器、智能插座和其他需要远程控制的设备中，它可以作为开关元件来接通或切断电源供应。 4. 保护电路：此型号的 MOSFET 还可用于过流保护、短路保护等安全机制中。通过监测电流水平并在异常情况下迅速关断，它可以防止电路损坏并提升系统的可靠性。 5. 逆变器和变频器：在太阳能逆变器、电动车辆驱动器以及家用电器的变频控制器中，STP25N10F7 的高效开关特性使其成为理想的选择。它能够在高频条件下保持良好的性能，同时提供稳定的输出波形。 总之，STP25N10F7 凭借其出色的电气参数和可靠的性能，适用于各种对功率管理和开关速度有较高要求的应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 25A TO-220MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ 25A STripFET VII |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP25N10F7DeepGATE™， STripFET™ VII |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP25N10F7 |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 4.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 920pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 12.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-14572-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 14.8 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Tc） |
| 系列 | STP25N10F7 |
| 配置 | Single |
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