ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > STP22NM60N
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STP22NM60N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP22NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP22NM60N价格参考¥7.04-¥7.64。STMicroelectronicsSTP22NM60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP22NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP22NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP22NM60N 是由 STMicroelectronics 生产的一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该器件具有 600V 的最大漏源电压 (VDS) 和 22A 的连续漏极电流 (ID),适用于多种高功率、高压应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS):在开关电源中,MOSFET 作为高频开关元件,用于控制电源的输出电压和电流。STP22NM60N 的高耐压和低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源中的功率转换部分,能够提高效率并减少热量损失。 2. 电机驱动:在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,MOSFET 常用于驱动电机。STP22NM60N 可以承受较高的电压和电流,适用于驱动直流无刷电机 (BLDC) 和步进电机等,确保电机运行稳定且高效。 3. 逆变器和太阳能系统:在光伏逆变器和其他可再生能源系统中,MOSFET 起到关键作用。STP22NM60N 的高耐压和低损耗特性使其成为这些应用的理想选择,能够在逆变过程中提供高效的电力转换,同时保持系统的可靠性和稳定性。 4. 电池管理系统 (BMS):在电动汽车 (EV) 和储能系统中,MOSFET 用于电池充放电控制。STP22NM60N 可以精确控制电池的充放电过程,确保电池的安全性和寿命,同时支持快速充电和大电流放电需求。 5. 过流保护电路:在一些需要过流保护的应用中,如电源适配器、充电器等,MOSFET 可以用作电子保险丝。STP22NM60N 的高耐压和快速响应特性使其能够在检测到过流时迅速切断电路,保护系统免受损坏。 总之,STP22NM60N 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种高功率、高压场景,为各类电子设备提供了高效、稳定的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STP22NM60N |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ II |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 220 毫欧 @ 8A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-10306-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF243785?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |