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  • 型号: STP1N105K3
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP1N105K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP1N105K3价格参考。STMicroelectronicsSTP1N105K3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP1N105K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP1N105K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N CH 1050V 1.4A TO-220MOSFET N-Ch 1050V 8Ohm 1.4A SuperMESH3 MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.4 A

Id-连续漏极电流

1.4 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP1N105K3SuperMESH3™

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产品型号

STP1N105K3

Pd-PowerDissipation

60 W

Pd-功率耗散

60 W

Qg-GateCharge

13 nC

Qg-栅极电荷

13 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

11 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

11 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1.05 kV

Vds-漏源极击穿电压

1.05 kV

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.5 V

上升时间

7 ns

下降时间

50 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

180pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11 欧姆 @ 600mA, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

497-13394-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF251189?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

27 ns

功率-最大值

60W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

11 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

1.05 kV

漏极连续电流

1.4 A

漏源极电压(Vdss)

1050V (1.05kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.4A (Tc)

系列

STP1N105K3

通道模式

Enhancement

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