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  • 型号: STP19NF20
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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STP19NF20产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP19NF20由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP19NF20价格参考。STMicroelectronicsSTP19NF20封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 15A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP19NF20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP19NF20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 15A TO-220MOSFET N-CHANNEL 200V 0.15 OHM - 15A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

15 A

Id-连续漏极电流

15 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP19NF20MESH OVERLAY™

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产品型号

STP19NF20

Pd-PowerDissipation

90 W

Pd-功率耗散

90 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

160 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

160 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

22 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

160 毫欧 @ 7.5A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-7514-5
STP19NF20-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1166/PF157966?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

19 ns

功率-最大值

90W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A (Tc)

系列

STP19NF20

通道模式

Enhancement

配置

Single

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