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  • 型号: STP18NM80
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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STP18NM80产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP18NM80由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP18NM80价格参考¥20.60-¥20.60。STMicroelectronicsSTP18NM80封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 17A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP18NM80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP18NM80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 800V 17A TO-220MOSFET N-channel 800 V MDMesh

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

17 A

Id-连续漏极电流

17 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP18NM80MDmesh™

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产品型号

STP18NM80

Pd-PowerDissipation

190 W

Pd-功率耗散

190 W

Qg-GateCharge

70 nC

Qg-栅极电荷

70 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

295 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

295 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

上升时间

28 ns

下降时间

50 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2070pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

70nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

295 毫欧 @ 8.5A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-10076-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF221201?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

96 ns

功率-最大值

190W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Tc)

系列

STP18NM80

配置

Single

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