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  • 型号: STP18N60M2
  • 制造商: STMicroelectronics
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STP18N60M2产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP18N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP18N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTP18N60M2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 13A(Tc) 110W(Tc) TO-220。您可以下载STP18N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP18N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STP18N60M2是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体为N沟道增强型功率MOSFET。该型号的主要应用场景包括但不限于以下几种:

 1. 开关电源(SMPS)
   STP18N60M2常用于开关电源电路中,作为主开关管或同步整流管。其600V的耐压能力使其适合应用于高电压输入的场合,如工业电源、适配器和充电器等。低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通损耗,提高电源转换效率。

 2. 电机驱动
   在电机驱动应用中,STP18N60M2可以用于控制直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。它能够承受较大的电流波动,并且具有较快的开关速度,适用于需要频繁启停或调速的电机控制系统,如电动工具、家用电器和工业自动化设备。

 3. 逆变器和变频器
   在逆变器和变频器中,STP18N60M2可以作为功率级的关键元件,用于将直流电转换为交流电,或者调节输出频率和电压。其高耐压和低损耗特性使得它在这些应用中表现出色,广泛应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及空调等家电的变频控制系统。

 4. 负载开关
   STP18N60M2可以用作负载开关,实现对负载的快速通断控制。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于电池管理系统(BMS)、汽车电子中的负载切换以及便携式设备的电源管理。

 5. 保护电路
   该器件还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流并通过适当的控制逻辑,STP18N60M2可以在异常情况下迅速切断电流路径,保护系统免受损坏。

总之,STP18N60M2凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关性能,在各种电力电子应用中表现出色,尤其适合需要高效能和可靠性的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V TO-220MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh II

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13 A

Id-连续漏极电流

13 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP18N60M2MDmesh™ II Plus

数据手册

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产品型号

STP18N60M2

Pd-PowerDissipation

110 W

Pd-功率耗散

110 W

Qg-GateCharge

21.5 nC

Qg-栅极电荷

21.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

255 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

255 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

9 ns

下降时间

10.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

791pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

21.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

280 毫欧 @ 6.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

497-13971-5
STP18N60M2-ND

典型关闭延迟时间

47 ns

功率-最大值

110W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Tc)

系列

STP18N60M2

配置

Single

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