ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STP18N55M5
Datasheet下载- 型号： STP18N55M5
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STP18N55M5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP18N55M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP18N55M5价格参考。STMicroelectronicsSTP18N55M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 550V 16A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP18N55M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP18N55M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP18N55M5 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 通道功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类型。该型号具有以下关键参数：最大漏源电压 (Vds) 为 55V，最大连续漏极电流 (Id) 为 18A，导通电阻 (Rds(on)) 为 4.9mΩ（典型值，在特定条件下）。这些特性使其非常适合用于需要高效能和低功耗的电力电子应用中。 以下是 STP18N55M5 的主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS)： STP18N55M5 的低导通电阻和快速开关速度使其成为开关电源的理想选择，例如 AC/DC 或 DC/DC 转换器中的同步整流器或主开关。 2. 电机驱动： 在工业自动化和消费电子领域，这款 MOSFET 可用于控制小型至中型电机的运行，如无人机电机驱动、家用电器（风扇、泵等）以及电动工具。 3. 电池管理与保护电路： 它适用于锂电池组或其他电池系统的充放电管理、过流保护及负载切换功能，确保系统安全稳定运行。 4. 逆变器： 在太阳能微逆变器或 UPS（不间断电源）设备中，该器件可用于构建高效的逆变电路以实现直流到交流的转换。 5. 汽车电子： 针对汽车环境设计时，它可以用于车身控制模块（BCM）、启动/停止系统、LED 照明驱动以及电动车窗等应用。 6. 消费类电子产品： 包括笔记本电脑适配器、平板电脑充电器以及其他便携式设备中的功率转换部分。 总之，由于其出色的电气性能和可靠性，STP18N55M5 广泛应用于各种需要高效功率处理和精确控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 550V 13A TO220ABMOSFET N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP18N55M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP18N55M5 |
| Pd-PowerDissipation | 90 W |
| Pd-功率耗散 | 90 W |
| Qg-GateCharge | 31 nC |
| Qg-栅极电荷 | 31 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 240 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 550 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 550 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 9.5 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1260pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 192 mOhm @ 8A， 10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-10963-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF245207?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 550V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
| 系列 | STP18N55M5 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
.jpg)
