Datasheet下载- 型号： STP180N10F3
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP180N10F3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP180N10F3价格参考。STMicroelectronicsSTP180N10F3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP180N10F3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP180N10F3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号STP180N10F3是一种N沟道增强型MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - STP180N10F3适用于各种开关电源设计，例如降压、升压或反激式转换器。 - 其100V的耐压能力使其适合中等电压范围的应用，如适配器、充电器和工业电源。 2. 电机驱动 - 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关控制电机的启停和速度调节。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功耗，提高效率。 3. 负载开关 - 在需要高效负载切换的场景中，STP180N10F3可以用作负载开关，控制高电流负载的通断。 - 常见于汽车电子、家用电器和工业设备中的负载管理。 4. 逆变器 - 可用于小型太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，实现直流到交流的转换。 - 其快速开关特性和低损耗性能有助于提高逆变器的效率。 5. 电池管理系统（BMS） - 在电池保护电路中，STP180N10F3可以用来控制电池充放电路径，防止过流或短路。 - 特别适合电动车、储能系统和便携式设备的电池管理。 6. LED驱动 - 用于大功率LED照明系统的驱动电路中，作为开关元件调节LED亮度或实现恒流控制。 - 其低导通电阻可降低发热，延长灯具寿命。 7. 工业自动化 - 在工业控制领域，STP180N10F3可用于固态继电器（SSR）、传感器接口和执行器驱动等应用。 - 提供可靠的开关性能和耐用性。 总结 STP180N10F3凭借其100V的额定电压、低导通电阻（典型值为0.12Ω）以及出色的热性能，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和绿色能源等领域。其高效、可靠的特点使其成为许多功率管理应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP180N10F3STripFET™ III |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP180N10F3 |
| Pd-PowerDissipation | 315 W |
| Pd-功率耗散 | 315 W |
| Qg-GateCharge | 114.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 114.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 97.1 ns |
| 下降时间 | 6.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6665pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 114.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.1 毫欧 @ 60A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-11228-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF217131?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 315W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | STP180N10F3 |
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