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  • 型号: STP180N10F3
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP180N10F3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP180N10F3价格参考。STMicroelectronicsSTP180N10F3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP180N10F3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP180N10F3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V 120A TO220MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

120 A

Id-连续漏极电流

120 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP180N10F3STripFET™ III

数据手册

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产品型号

STP180N10F3

Pd-PowerDissipation

315 W

Pd-功率耗散

315 W

Qg-GateCharge

114.6 nC

Qg-栅极电荷

114.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

97.1 ns

下降时间

6.9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6665pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

114.6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.1 毫欧 @ 60A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

497-11228-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF217131?referrer=70071840

功率-最大值

315W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

系列

STP180N10F3

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