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Datasheet下载- 型号： STP15N80K5
- 制造商： STMicroelectronics
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STP15N80K5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP15N80K5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP15N80K5价格参考￥19.65-￥28.35。STMicroelectronicsSTP15N80K5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 800V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-220。您可以下载STP15N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP15N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号STP15N80K5是一种N沟道功率MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该器件适用于开关电源中的高频开关应用。其低栅极电荷和优化的Rds(on)使其成为开关电源的理想选择，能够高效地进行电压转换。 2. DC-DC转换器：在各种DC-DC转换拓扑中（如降压、升压或反激式转换器），STP15N80K5可以用作主开关管或同步整流管，提供高效的能量转换。 3. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停、速度和方向。 4. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，该MOSFET可以用来将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的电力输出。 5. 负载切换：在需要快速、可靠地切换高电流负载的应用中，例如汽车电子系统或工业自动化设备，该器件能有效实现负载的通断控制。 6. 电池管理：用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关，确保电池的安全运行并防止过充或过放。 7. 电子负载：在测试和测量设备中，用作可调电子负载以模拟不同条件下的电流消耗。 由于STP15N80K5具有80V的耐压能力以及相对较低的导通电阻（典型值为0.45Ω），它非常适合于需要中等功率水平且对效率有一定要求的场合。同时，其TO-220封装形式便于散热设计，进一步扩展了其应用范围。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 800V 14A TO-220MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP15N80K5SuperMESH5™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP15N80K5 |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Qg-GateCharge | 32 nC |
| Qg-栅极电荷 | 32 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 17.6 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 375 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13441 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF254130?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Tc） |
| 系列 | STP15N80K5 |
| 配置 | Single |
