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STP15N65M5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP15N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP15N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTP15N65M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220。您可以下载STP15N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP15N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP15N65M5 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源 (SMPS) - STP15N65M5 的高电压耐受能力(650V)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。例如,在反激式、正激式或 LLC 谐振转换器中作为主开关管。 - 它的低导通电阻(典型值为 1.2Ω)有助于减少导通损耗,提高效率。 2. 电机驱动与控制 - 可用于中小功率电机驱动电路,如直流无刷电机(BLDC)、步进电机等的驱动。 - 在 H 桥或半桥拓扑结构中用作开关元件,实现电机的正反转和速度调节。 3. 逆变器 - 在太阳能微型逆变器或其他小型逆变器中,该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电。 - 其快速开关特性和低开关损耗适合高频逆变应用。 4. 负载开关 - 用于工业自动化设备、消费电子产品中的负载切换功能。 - 提供高效的电流控制,同时保护电路免受过流或短路的影响。 5. 电池管理 - 在电池管理系统 (BMS) 中,STP15N65M5 可用于电池充放电路径的开关控制。 - 支持高压电池组的保护和管理,确保系统安全运行。 6. 家电与照明 - 在 LED 驱动器中用作开关元件,调节电流以实现亮度控制。 - 应用于家用电器(如吸尘器、风扇等)的功率控制模块。 7. 汽车电子 - 虽然 STP15N65M5 不是专门针对汽车级设计的产品,但在一些非关键车载应用中(如车窗升降器、雨刷控制系统等),它也可以发挥作用。 总结 STP15N65M5 凭借其高电压耐受能力、低导通电阻以及良好的开关性能,广泛适用于各种需要高效功率转换和控制的场景。在选择具体应用场景时,需根据实际需求评估其工作条件是否满足系统的电压、电流和频率要求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N CH 650V 11A TO220MOSFET N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP15N65M5MDmesh™ V |
数据手册 | |
产品型号 | STP15N65M5 |
Pd-PowerDissipation | 85 W |
Pd-功率耗散 | 85 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 340 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 340 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 810pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 340 毫欧 @ 5.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | 497-12936-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253451?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 85W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 340 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 650 V |
漏极连续电流 | 11 A |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
系列 | STP15N65M5 |