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Datasheet下载- 型号： STP150N10F7
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP150N10F7由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP150N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTP150N10F7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 110A（Tc） 250W（Tc） TO-220。您可以下载STP150N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP150N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP150N10F7是一款N沟道MOSFET晶体管，其应用场景广泛，适用于多种电力电子领域。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - STP150N10F7具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，非常适合用于开关电源中的功率开关。 - 可用于降压、升压或反激式转换器中，实现高效的电压转换。 2. 电机驱动 - 在直流无刷电机（BLDC）或步进电机驱动中，作为功率级的一部分，用于控制电机的转速和方向。 - 其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高效率。 3. 负载切换 - 用于汽车电子或工业设备中的负载切换应用，例如控制继电器、灯泡或其他高电流负载的开闭。 - 提供快速响应和可靠的切换功能。 4. 电池管理系统（BMS） - 在电池保护电路中，用作充放电路径的开关，确保电池的安全运行。 - 能够承受较高的电流和电压，适合电动车、储能系统等应用。 5. 逆变器 - 在小型逆变器中作为功率开关使用，将直流电转换为交流电。 - 其耐压值（100V）和额定电流（150A）使其能够应对逆变器中的高频开关需求。 6. LED驱动 - 用于大功率LED照明系统的驱动电路中，调节电流以实现亮度控制。 - 提供高效、稳定的电流输出，延长LED寿命。 7. 工业自动化 - 在可编程逻辑控制器（PLC）或伺服驱动器中，作为功率输出级，控制各种执行器或传感器。 - 具备良好的耐用性和可靠性，适应严苛的工业环境。 8. 消费电子产品 - 应用于家用电器（如风扇、冰箱压缩机等）的功率控制部分，提供高效的能源管理。 - 在音频功放中作为输出级开关，改善音质并降低失真。 总结 STP150N10F7凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于需要高效功率转换和控制的各种场景。无论是消费类电子、工业设备还是汽车电子领域，这款MOSFET都能满足多样化的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 110A TO-220MOSFET N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP150N10F7DeepGATE™， STripFET™ VII |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP150N10F7 |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Qg-GateCharge | 117 nC |
| Qg-栅极电荷 | 117 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 57 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8115pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 117nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 毫欧 @ 55A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-14570-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 72 ns |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 110A （Tc） |
| 系列 | STP150N10F7 |
| 配置 | Single |
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