图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP140N8F7由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP140N8F7价格参考。STMicroelectronicsSTP140N8F7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP140N8F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP140N8F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 90A TO-220MOSFET N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 90 A |
Id-连续漏极电流 | 90 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP140N8F7DeepGATE™, STripFET™ VII |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | STP140N8F7 |
Pd-PowerDissipation | 200 W |
Pd-功率耗散 | 200 W |
Qg-GateCharge | 96 nC |
Qg-栅极电荷 | 96 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
上升时间 | 51 ns |
下降时间 | 44 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6340pF @ 40V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 96nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.3 mOhm @ 45A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | 497-14569-5 |
典型关闭延迟时间 | 82 ns |
功率-最大值 | 200W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 4.3 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 80 V |
漏极连续电流 | 90 A |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 90A (Tc) |
系列 | STP140N8F7 |
配置 | Single |