图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: STP13N80K5
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

STP13N80K5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP13N80K5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP13N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTP13N80K5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 12A(Tc) 190W(Tc) TO-220。您可以下载STP13N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP13N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STP13N80K5 是由 STMicroelectronics 生产的一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这款晶体管属于功率 MOSFET 类别,主要用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   STP13N80K5 常用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等。它的低导通电阻(Rds(on))特性使得它在导通状态下消耗的功率非常小,从而提高了系统的整体效率。此外,它能够在高频率下快速开关,适用于高频开关电源设计。

 2. 电机驱动
   在电机驱动应用中,STP13N80K5 可以作为功率级的一部分,用于控制电机的启动、停止和速度调节。由于其低导通电阻和良好的热性能,它可以有效地减少发热,确保长时间稳定工作。常见的应用包括无刷直流电机(BLDC)、步进电机等。

 3. 负载切换
   STP13N80K5 可以用于负载切换电路中,例如在汽车电子系统中控制灯具、风扇或其他电气设备的开闭。通过外部控制信号,MOSFET 可以迅速导通或关断,确保负载的安全可靠运行。

 4. 电池管理系统
   在电池管理系统(BMS)中,STP13N80K5 可以用作充电/放电路径上的开关。它能够精确控制电流流动,防止过充、过放等异常情况的发生,同时还能有效降低功耗,延长电池寿命。

 5. 工业自动化
   在工业自动化领域,STP13N80K5 可用于控制各种执行器、传感器和其他电气组件。它的高耐压能力和快速响应速度使其适合于复杂多变的工业环境,尤其是在需要频繁开关操作的情况下。

 总结
STP13N80K5 凭借其出色的电气性能和可靠性,在多种应用场景中表现出色。无论是消费电子产品还是工业设备,它都能为用户提供高效、稳定的功率控制解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 12A TO220MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12 A

Id-连续漏极电流

12 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP13N80K5SuperMESH5™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STP13N80K5

Pd-PowerDissipation

190 W

Pd-功率耗散

190 W

Qg-GateCharge

29 nC

Qg-栅极电荷

29 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

370 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

370 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

16 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

870pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

29nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

450 毫欧 @ 6A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

497-13779-5

典型关闭延迟时间

42 ns

功率-最大值

190W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

系列

STP13N80K5

通道模式

Enhancement

配置

Single

推荐商品

型号:IRF6898MTR1PBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRL520S

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:TK4A60D(STA4,Q,M)

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FDD120AN15A0

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IPS05N03LB G

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFR224BTM_TC002

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AON6411

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:CSD16415Q5

品牌:Texas Instruments

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
STP13N80K5 相关产品

3LP01C-TB-H

品牌:ON Semiconductor

价格:

ZXMN3A01E6TA

品牌:Diodes Incorporated

价格:

IRF520NLPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

RRQ020P03TCR

品牌:Rohm Semiconductor

价格:

BUK9628-100A,118

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:

AUIRFR5410TRL

品牌:Infineon Technologies

价格:

AO4406AL

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:

FQB44N10TM

品牌:ON Semiconductor

价格: