【晶体管 - FET，MOSFET - 单_STP12NM50FD】封装/厂家_STP12NM50FD中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STP12NM50FD

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： STP12NM50FD
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STP12NM50FD由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP12NM50FD价格参考。STMicroelectronicsSTP12NM50FD封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP12NM50FD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP12NM50FD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STP12NM50FD 是由 STMicroelectronics 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单通道 MOSFET。该器件具有以下特点和应用场景：

 1. 电气特性
   - 最大漏源电压 (VDS)： 500V，适用于高压应用。
   - 最大连续漏极电流 (ID)： 12A，适合高电流负载。
   - 栅极阈值电压 (VGS(th))： 3.6V 至 5.8V，较低的栅极驱动电压使其易于与低压逻辑电路配合使用。
   - 导通电阻 (RDS(on))： 在 VGS = 10V 时，典型值为 0.7Ω，低导通电阻有助于减少功率损耗。

 2. 应用场景
   a. 开关电源 (SMPS)：
   STP12NM50FD 广泛应用于开关电源中，特别是在隔离式 DC-DC 转换器、反激式变换器和正激式变换器中。其高耐压和大电流能力使得它能够在高频开关条件下稳定工作，提供高效的电源转换。

   b. 电机驱动：
   该 MOSFET 可用于驱动中小型直流电机或步进电机。由于其低导通电阻，可以减少发热，提高电机驱动效率，适用于电动工具、家用电器等设备中的电机控制。

   c. 逆变器：
   在光伏逆变器和其他类型的逆变器中，STP12NM50FD 可以作为开关元件，将直流电转换为交流电。其高压和大电流特性使其能够承受逆变器工作时的电压和电流波动。

   d. 过流保护和负载开关：
   该器件还可以用作过流保护开关或负载开关，防止电路中的过载情况。通过快速响应过流事件并切断电流路径，它可以有效保护下游电路免受损坏。

   e. 电池管理系统 (BMS)：
   在电池管理系统中，STP12NM50FD 可用于控制电池充放电回路的通断，确保电池在安全范围内工作。其低导通电阻有助于减少电池管理系统的功耗。

 3. 封装形式
   STP12NM50FD 采用 TO-220 封装，这种封装形式具有良好的散热性能，适合需要长时间稳定工作的工业级应用。

总之，STP12NM50FD 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于电力电子、工业控制、消费电子等多个领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	STMicroelectronics
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	STP12NM50FD
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	FDmesh™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	12nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	400 毫欧 @ 6A，10V
供应商器件封装	TO-220AB
功率-最大值	160W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	12A （Tc）