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Datasheet下载- 型号： STP12NM50
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP12NM50由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP12NM50价格参考。STMicroelectronicsSTP12NM50封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP12NM50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP12NM50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP12NM50 是由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单个晶体管类型。该器件具有以下主要特点： 1. 高耐压：最大漏源电压 (VDS) 为 500V，适用于高压应用。 2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻较低，有助于减少功率损耗。 3. 高电流能力：最大连续漏极电流 (ID) 可达 12A，适合大电流应用场景。 4. 快速开关特性：具备较快的开关速度，能够有效降低开关损耗。 应用场景 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：STP12NM50 适用于各种开关电源设计，如反激式、正激式和推挽式转换器。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在高频开关条件下保持高效运行，减少能量损失。 - DC-DC 转换器：在需要将直流电压转换为不同等级的应用中，如汽车电子、工业控制设备等，该器件可以作为主开关或同步整流器使用。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）：在电动工具、家电和工业自动化等领域，STP12NM50 可用于驱动无刷直流电机。其高电流能力和快速开关特性有助于实现精确的速度控制和高效的能耗管理。 - 步进电机驱动：在精密定位系统中，如3D打印机、数控机床等，该器件可用于驱动步进电机，确保平稳运行和高精度定位。 3. 逆变器 - 太阳能逆变器：在光伏系统中，STP12NM50 可用于将直流电转换为交流电，其高耐压特性能够应对电网波动，确保系统的稳定性和可靠性。 - 不间断电源（UPS）：在电力保护设备中，该器件可用于逆变电路，提供稳定的备用电源输出。 4. 电池管理系统（BMS） - 在电动汽车和储能系统中，STP12NM50 可用于电池充放电管理，确保电池的安全和高效利用。其低导通电阻有助于减少发热，延长电池寿命。 总之，STP12NM50 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各类高压、大电流和高效率要求的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP12NM50MDmesh™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP12NM50 |
| Pd-PowerDissipation | 160 W |
| Pd-功率耗散 | 160 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 350 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-2666-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF64691?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.240 g |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 5.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | STP12NM50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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