STP11NM80产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STP11NM80由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP11NM80价格参考￥19.62-￥27.70。STMicroelectronicsSTP11NM80封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP11NM80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP11NM80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STP11NM80是由STMicroelectronics（意法半导体）生产的单通道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。这款器件属于N沟道增强型MOSFET，具有以下特点和应用场景：

 主要参数：
- 导通电阻（Rds(on)）：在Vgs=10V时，最大值为165mΩ。
- 漏源电压（Vds）：最高可达80V。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C时最大为11A，在结温Tj=150°C时最大为7.3A。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：典型值为2.8V。

 应用场景：
1. 开关电源（SMPS）：
   - STP11NM80适用于各种开关电源设计，如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高效率，特别适合中低功率的应用场合。

2. 电机驱动：
   - 该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机。由于其较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够有效降低发热，确保长时间稳定运行。

3. 电池管理系统（BMS）：
   - 在锂电池保护电路中，STP11NM80可以作为充放电控制开关，确保电池的安全性和可靠性。其快速开关特性有助于实现精确的电流控制和过流保护。

4. 负载开关：
   - 用于需要频繁开关的负载电路中，例如汽车电子设备中的电源管理。其低导通电阻可减少能量损失，同时其高耐压特性使其能够承受瞬态高压冲击。

5. 逆变器：
   - 在小型逆变器中，STP11NM80可以用作功率级开关元件，帮助将直流电转换为交流电。其良好的开关性能有助于提高逆变器的效率和稳定性。

6. LED驱动：
   - 用于大功率LED照明系统的恒流控制电路中，通过PWM调光等方式调节LED亮度。其低导通电阻和快速开关速度使得它非常适合此类应用。

总之，STP11NM80凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，尤其适合对效率、散热和成本有较高要求的中低功率应用场景。

STP11NM80产品简介：

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STP11NM80是由STMicroelectronics（意法半导体）生产的单通道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。这款器件属于N沟道增强型MOSFET，具有以下特点和应用场景：

 主要参数：
- 导通电阻（Rds(on)）：在Vgs=10V时，最大值为165mΩ。
- 漏源电压（Vds）：最高可达80V。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C时最大为11A，在结温Tj=150°C时最大为7.3A。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：典型值为2.8V。

 应用场景：
1. 开关电源（SMPS）：
   - STP11NM80适用于各种开关电源设计，如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高效率，特别适合中低功率的应用场合。

2. 电机驱动：
   - 该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机。由于其较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够有效降低发热，确保长时间稳定运行。

3. 电池管理系统（BMS）：
   - 在锂电池保护电路中，STP11NM80可以作为充放电控制开关，确保电池的安全性和可靠性。其快速开关特性有助于实现精确的电流控制和过流保护。

4. 负载开关：
   - 用于需要频繁开关的负载电路中，例如汽车电子设备中的电源管理。其低导通电阻可减少能量损失，同时其高耐压特性使其能够承受瞬态高压冲击。

5. 逆变器：
   - 在小型逆变器中，STP11NM80可以用作功率级开关元件，帮助将直流电转换为交流电。其良好的开关性能有助于提高逆变器的效率和稳定性。

6. LED驱动：
   - 用于大功率LED照明系统的恒流控制电路中，通过PWM调光等方式调节LED亮度。其低导通电阻和快速开关速度使得它非常适合此类应用。

总之，STP11NM80凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，尤其适合对效率、散热和成本有较高要求的中低功率应用场景。