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STP11NM60ND产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP11NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP11NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTP11NM60ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP11NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP11NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP11NM60ND 是由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型 MOSFET,主要应用于需要高效、可靠开关和功率管理的场景。该型号的特点包括低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压(V(BR)DSS)以及快速开关特性,适用于多种工业和消费电子领域。 应用场景: 1. 电源管理: - 作为开关元件用于 DC-DC 转换器中,特别是在降压或升压转换器中,能够有效降低功耗并提高效率。 - 在电池管理系统 (BMS) 中,用于控制电池充放电路径,确保安全可靠的电力传输。 2. 电机驱动: - 用于无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机的驱动电路,提供高效的电流控制和方向切换。 - 在电动工具、家用电器(如吸尘器、洗衣机等)中,MOSFET 的快速响应和低损耗特性有助于提升性能和延长设备寿命。 3. 逆变器和变频器: - 在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中,用于将直流电转换为交流电,实现高效的能量转换。 - 在变频空调、冰箱等家电中,通过精确控制压缩机的工作频率,达到节能和静音的效果。 4. 负载开关和保护电路: - 用于各类电子设备中的负载开关,实现对不同负载的快速通断控制。 - 在过流保护、短路保护等电路中,MOSFET 可以迅速切断异常电流,保护系统免受损坏。 5. 通信和网络设备: - 在基站、路由器等通信设备中,用于电源模块和信号调理电路,确保稳定可靠的运行。 - 在服务器和数据中心的电源管理系统中,MOSFET 的高效性能有助于减少能耗和散热需求。 总之,STP11NM60ND 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率管理和开关控制的场合,特别适合于要求高效率、低损耗和快速响应的应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP11NM60NDFDmesh™ II |
数据手册 | |
产品型号 | STP11NM60ND |
Pd-PowerDissipation | 90 W |
Pd-功率耗散 | 90 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 7 ns |
下降时间 | 9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 450 毫欧 @ 5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-8442-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF211336?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
功率-最大值 | 90W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
系列 | STP11NM60ND |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |