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  • 型号: STP11NM60ND
  • 制造商: STMicroelectronics
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STP11NM60ND产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP11NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP11NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTP11NM60ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP11NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP11NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STP11NM60ND 是由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型 MOSFET,主要应用于需要高效、可靠开关和功率管理的场景。该型号的特点包括低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压(V(BR)DSS)以及快速开关特性,适用于多种工业和消费电子领域。

 应用场景:

1. 电源管理:
   - 作为开关元件用于 DC-DC 转换器中,特别是在降压或升压转换器中,能够有效降低功耗并提高效率。
   - 在电池管理系统 (BMS) 中,用于控制电池充放电路径,确保安全可靠的电力传输。

2. 电机驱动:
   - 用于无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机的驱动电路,提供高效的电流控制和方向切换。
   - 在电动工具、家用电器(如吸尘器、洗衣机等)中,MOSFET 的快速响应和低损耗特性有助于提升性能和延长设备寿命。

3. 逆变器和变频器:
   - 在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中,用于将直流电转换为交流电,实现高效的能量转换。
   - 在变频空调、冰箱等家电中,通过精确控制压缩机的工作频率,达到节能和静音的效果。

4. 负载开关和保护电路:
   - 用于各类电子设备中的负载开关,实现对不同负载的快速通断控制。
   - 在过流保护、短路保护等电路中,MOSFET 可以迅速切断异常电流,保护系统免受损坏。

5. 通信和网络设备:
   - 在基站、路由器等通信设备中,用于电源模块和信号调理电路,确保稳定可靠的运行。
   - 在服务器和数据中心的电源管理系统中,MOSFET 的高效性能有助于减少能耗和散热需求。

总之,STP11NM60ND 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率管理和开关控制的场合,特别适合于要求高效率、低损耗和快速响应的应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10 A

Id-连续漏极电流

10 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP11NM60NDFDmesh™ II

数据手册

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产品型号

STP11NM60ND

Pd-PowerDissipation

90 W

Pd-功率耗散

90 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

450 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

450 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

7 ns

下降时间

9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

850pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

450 毫欧 @ 5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-8442-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF211336?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

50 ns

功率-最大值

90W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

系列

STP11NM60ND

通道模式

Enhancement

配置

Single

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