ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STP11NM60A
Datasheet下载- 型号： STP11NM60A
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP11NM60A由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP11NM60A价格参考。STMicroelectronicsSTP11NM60A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP11NM60A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP11NM60A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP11NM60A 是由 STMicroelectronics 生产的一款 N 沟道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单通道晶体管。它具有 600V 的耐压和 11A 的连续漏极电流，适用于多种高电压、大电流的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 STP11NM60A 可用于各种电源管理系统中，尤其是在需要高效开关的场合。它能够承受较高的电压和电流，适合应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC）等设备中，帮助实现高效的能量转换和调节。 2. 电机驱动 在电机控制领域，MOSFET 是关键元件之一。STP11NM60A 可用于驱动小型到中型电机，特别是在电动工具、家用电器（如洗衣机、空调等）以及工业自动化设备中。它的低导通电阻有助于减少功耗，提高系统效率。 3. 逆变器 该器件广泛应用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）等电力电子设备中。由于其高耐压特性，STP11NM60A 能够在这些设备中承担关键的功率转换任务，确保系统的稳定性和可靠性。 4. 保护电路 在许多电路设计中，MOSFET 还可以用作保护元件。STP11NM60A 可用于过流保护、短路保护等场合，防止系统因异常情况而损坏。它快速的开关速度和低损耗特性使其成为理想的保护元件选择。 5. 电动汽车与充电桩 随着电动汽车市场的快速发展，STP11NM60A 在车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）以及充电桩等应用中也得到了广泛应用。它能够在高压环境下稳定工作，确保车辆电气系统的安全性和可靠性。 总之，STP11NM60A 凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于多种高电压、大电流的工业及消费类电子产品中，特别是在电源管理、电机驱动、逆变器等领域表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STP11NM60A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1211pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-4368-5 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
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