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STP11NM60产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP11NM60由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP11NM60价格参考。STMicroelectronicsSTP11NM60封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP11NM60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP11NM60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP11NM60是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。它具有600V的击穿电压、11A的最大连续漏极电流和低导通电阻,适用于多种电力电子应用领域。 应用场景: 1. 开关电源(SMPS): - STP11NM60广泛应用于开关电源中,作为功率开关器件,用于实现高效的DC-DC转换。其高耐压和大电流能力使其适合在高压输入环境下工作,如AC-DC适配器、电源模块等。 2. 电机驱动: - 该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高效率,减少发热,延长电机寿命。常见的应用场景包括电动工具、家用电器和工业自动化设备。 3. 逆变器: - 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中,STP11NM60可以作为功率级的关键元件,将直流电转换为交流电。其高耐压特性使其能够在太阳能电池板的高电压输出下稳定工作。 4. 不间断电源(UPS): - UPS系统中,STP11NM60可以用作主功率开关,确保在市电中断时迅速切换到备用电池供电,并提供稳定的输出电压。 5. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV): - 在车载充电器、DC-DC转换器和牵引逆变器等关键组件中,STP11NM60凭借其优异的电气性能和可靠性,能够承受恶劣的工作环境,保障车辆的正常运行。 6. 工业控制与自动化: - 该MOSFET适用于各种工业控制系统中的负载开关、继电器替代和保护电路,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等,确保系统的稳定性和安全性。 7. LED照明驱动: - 在大功率LED照明系统中,STP11NM60可以用作恒流源或PWM调光控制器,调节LED亮度的同时保证其长寿命和高效能。 总之,STP11NM60凭借其卓越的电气性能和广泛的适用性,在电力电子领域的多个方面都有出色表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 过渡期间含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP11NM60MDmesh™ |
数据手册 | |
产品型号 | STP11NM60 |
Pd-PowerDissipation | 160 W |
Pd-功率耗散 | 160 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 20 ns |
下降时间 | 11 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 450 毫欧 @ 5.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-2773-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF64686?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 6 ns |
功率-最大值 | 160W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.240 g |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 5.2 S |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
系列 | STP11NM60 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |