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Datasheet下载- 型号： STP11NK50Z
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP11NK50Z由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP11NK50Z价格参考。STMicroelectronicsSTP11NK50Z封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP11NK50Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP11NK50Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP11NK50Z 是由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道功率 MOSFET，主要应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 STP11NK50Z 广泛用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中。它具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够减少功率损耗，提高效率。在这些应用中，MOSFET 作为开关元件，在高频下快速切换，确保电源系统的稳定性和高效性。 2. 电机驱动 在小型电机驱动电路中，STP11NK50Z 可以用作电机的开关控制元件。通过 PWM（脉宽调制）信号控制 MOSFET 的导通和关断，实现对电机速度和方向的精确控制。该器件的低导通电阻有助于减少发热，延长电机的使用寿命。 3. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，STP11NK50Z 可用于电池充放电控制、过流保护和短路保护等场景。MOSFET 的快速响应特性使得它能够在检测到异常电流时迅速切断电路，保护电池和其他电子设备免受损坏。 4. 负载开关 该器件常用于负载开关应用中，特别是在便携式设备和消费电子产品中。它可以快速、可靠地接通或断开负载，确保系统在待机或关机状态下几乎不消耗电流，从而延长电池寿命。 5. 逆变器 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中，STP11NK50Z 可以作为关键的开关元件，将直流电转换为交流电。它的高耐压（500V）使其能够在高压环境下稳定工作，适用于太阳能发电系统等应用场景。 6. 工业自动化 在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器（PLC）和伺服驱动器，STP11NK50Z 可用于控制各种执行机构，如电磁阀、继电器和传感器等。其可靠的性能和长寿命使得它成为工业应用的理想选择。 总之，STP11NK50Z 凭借其低导通电阻、高耐压和快速开关特性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、负载开关和工业自动化等领域，确保系统高效、可靠地运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 10A TO-220MOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP11NK50ZSuperMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP11NK50Z |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 49 nC |
| Qg-栅极电荷 | 49 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 520 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 520 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.75 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.75 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1390pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 520 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-12604-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67330?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 41 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.438 g |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 7.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | STP11NK50Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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