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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP10P6F6由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP10P6F6价格参考。STMicroelectronicsSTP10P6F6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP10P6F6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP10P6F6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P CH 60V 10A TO-220MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A pwr MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP10P6F6DeepGATE™, STripFET™ VI |
数据手册 | |
产品型号 | STP10P6F6 |
Pd-PowerDissipation | 35 W |
Pd-功率耗散 | 35 W |
Qg-GateCharge | 7 nC |
Qg-栅极电荷 | 7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 7 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 48V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 160 毫欧 @ 5A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | 497-13440 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC77/PF251960?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 16.5 ns |
功率-最大值 | 30W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
系列 | STP10P6F6 |
配置 | Single |