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  • 型号: STP10NK70ZFP
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STP10NK70ZFP产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP10NK70ZFP由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP10NK70ZFP价格参考¥23.80-¥24.70。STMicroelectronicsSTP10NK70ZFP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 700V 8.6A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP。您可以下载STP10NK70ZFP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP10NK70ZFP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220FPMOSFET N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.6 A

Id-连续漏极电流

8.6 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP10NK70ZFPSuperMESH™

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产品型号

STP10NK70ZFP

Pd-PowerDissipation

35 W

Pd-功率耗散

35 W

Qg-GateCharge

64 nC

Qg-栅极电荷

64 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

850 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

850 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

700 V

Vds-漏源极击穿电压

700 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.75 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.75 V

上升时间

19 ns

下降时间

19 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

90nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

850 毫欧 @ 4.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-12602-5
STP10NK70ZFP-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF223236?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

46 ns

功率-最大值

35W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

7.7 S

漏源极电压(Vdss)

700V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.6A (Tc)

系列

STP10NK70ZFP

通道模式

Enhancement

配置

Single

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