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型号： STP100N10F7
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STP100N10F7产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STP100N10F7由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP100N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTP100N10F7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 150W（Tc） TO-220。您可以下载STP100N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP100N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N CH 100V 80A TO-220MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150W
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	80 A
Id-连续漏极电流	80 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP100N10F7DeepGATE™， STripFET™ VII
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STP100N10F7
Pd-PowerDissipation	150 W
Pd-功率耗散	150 W
Qg-GateCharge	56 nC
Qg-栅极电荷	56 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	8 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	8 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2 V to 4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2 V to 4 V
上升时间	40 ns
下降时间	16 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4369pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	61nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	8 毫欧 @ 40A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220
其它名称	497-13550-5
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF254141?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	46 ns
功率-最大值	150W
包装	管件
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	100V
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/stp310n10f7/50140
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	80A （Tc）
系列	STP100N10F7
配置	Single