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Datasheet下载- 型号： STN3P6F6
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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STN3P6F6产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STN3P6F6由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STN3P6F6价格参考。STMicroelectronicsSTN3P6F6封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 60V 2.6W (Tc) Surface Mount SOT-223。您可以下载STN3P6F6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STN3P6F6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSF P CH 60V 3A SOT-223MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STN3P6F6DeepGATE™， STripFET™ VI |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STN3P6F6 |
| Pd-PowerDissipation | 2.6 W |
| Pd-功率耗散 | 2.6 W |
| Qg-GateCharge | 6.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 5.3 ns |
| 下降时间 | 3.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 48V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | 497-13537-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC77/PF254109?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 2.6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 系列 | STN3P6F6 |
