ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STN2NF10
Datasheet下载- 型号： STN2NF10
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STN2NF10由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STN2NF10价格参考。STMicroelectronicsSTN2NF10封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 2.4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223。您可以下载STN2NF10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STN2NF10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STN2NF10是STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于“晶体管 - FET，MOSFET - 单”类别。以下是其典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - STN2NF10适用于开关电源中的功率开关或同步整流器。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其能够高效地控制电流流动，减少能量损耗。 - 常用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等场景。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，STN2NF10可以用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其耐压能力（100V）和较低的导通电阻确保了在高电压和大电流条件下仍能稳定运行。 3. 负载开关 - 在电子设备中，STN2NF10可用作负载开关，控制电路中不同部分的供电状态，例如USB端口的电源管理。 - 其低导通电阻特性有助于减少开关过程中的功率损耗。 4. 电池保护电路 - 在便携式设备（如移动电源、笔记本电脑等）中，STN2NF10可用于电池保护电路，防止过充、过放或短路。 - 它能够快速响应异常情况，并切断电流路径以保护电池和设备。 5. LED驱动 - 在LED照明应用中，STN2NF10可以用作PWM调光控制的开关元件，调节LED亮度。 - 其高频开关能力适合需要精确亮度控制的场景。 6. 逆变器与太阳能系统 - 在小型逆变器或太阳能充电控制器中，STN2NF10可用于功率转换和管理，实现高效的能量传输。 - 它的高耐压特性和良好的热性能使其适合这些应用。 7. 信号放大与缓冲 - 在某些低频信号处理电路中，STN2NF10可以用作信号放大或缓冲元件，提供更高的输出电流能力。 总结 STN2NF10凭借其100V的耐压能力、低导通电阻（典型值为0.28Ω@10V）以及出色的开关性能，在各种电力电子应用中表现出色。它特别适合需要高效功率转换和开关控制的场合，同时其紧凑的封装形式（如TO-220）也便于集成到各种设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223MOSFET N-Ch 100 Volt 2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STN2NF10STripFET™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STN2NF10 |
| Pd-PowerDissipation | 3.3 W |
| Pd-功率耗散 | 3.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 260 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 260 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 260 毫欧 @ 1.2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | 497-8023-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF64670?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 3.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 124.600 mg |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 2.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Tc） |
| 系列 | STN2NF10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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