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  • 型号: STL8N80K5
  • 制造商: STMicroelectronics
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STL8N80K5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STL8N80K5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL8N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTL8N80K5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 800V 4.5A(Tc) 42W(Tc) PowerFlat™(5x6)。您可以下载STL8N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL8N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 4.5A 8PWRFLATMOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.5 A

Id-连续漏极电流

4.5 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL8N80K5SuperMESH5™

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产品型号

STL8N80K5

Pd-PowerDissipation

42 W

Pd-功率耗散

42 W

Qg-GateCharge

16.5 nC

Qg-栅极电荷

16.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

800 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

800 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

14 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

450pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

950 毫欧 @ 3A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerFlat™(5x6)

其它名称

497-13778-1

典型关闭延迟时间

32 ns

功率-最大值

42W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

PowerFLAT-8 5x6 VHV

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.5A (Tc)

系列

STL8N80K5

通道模式

Enhancement

配置

Single

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