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STL8N80K5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STL8N80K5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL8N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTL8N80K5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 800V 4.5A(Tc) 42W(Tc) PowerFlat™(5x6)。您可以下载STL8N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL8N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL8N80K5是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于需要高效功率管理、开关和驱动功能的场景。以下是该型号的应用场景: 1. 电源管理: - STL8N80K5适用于各种电源管理系统,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)等。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功耗,提高效率。 - 在电池充电电路中,它可以用于控制充电电流和电压,确保安全可靠的充电过程。 2. 电机驱动: - 该MOSFET可用于驱动小型直流电机、步进电机和无刷直流电机(BLDC)。它能够快速响应PWM(脉宽调制)信号,实现精确的速度控制和扭矩调节。 - 在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,STL8N80K5可以作为电机驱动电路中的关键元件。 3. 负载开关: - STL8N80K5可用作负载开关,在电源与负载之间提供可控的连接。通过栅极电压控制,它可以迅速切断或接通负载,保护电路免受过流、短路等故障的影响。 - 在消费电子产品中,如智能手机和平板电脑,它常用于管理不同模块的供电状态,延长电池寿命。 4. 逆变器和UPS系统: - 在逆变器和不间断电源(UPS)系统中,STL8N80K5可参与逆变过程,将直流电转换为交流电,以供敏感设备使用。 - 其高击穿电压(Vds)使其能够在高压环境下稳定工作,确保系统的可靠性和安全性。 5. 汽车电子: - STL8N80K5符合AEC-Q101标准,适合汽车应用。它可用于车身控制系统、LED驱动、燃油泵控制等领域。 - 在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中,该MOSFET可用于电池管理系统(BMS)、DC-DC转换器和其他关键子系统。 总之,STL8N80K5凭借其优异的电气性能和可靠性,成为众多电力电子应用的理想选择,特别是在对效率、响应速度和耐用性有较高要求的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 800V 4.5A 8PWRFLATMOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL8N80K5SuperMESH5™ |
数据手册 | |
产品型号 | STL8N80K5 |
Pd-PowerDissipation | 42 W |
Pd-功率耗散 | 42 W |
Qg-GateCharge | 16.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 16.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 800 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 800 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 14 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 950 毫欧 @ 3A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerFlat™(5x6) |
其它名称 | 497-13778-1 |
典型关闭延迟时间 | 32 ns |
功率-最大值 | 42W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
封装/箱体 | PowerFLAT-8 5x6 VHV |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A (Tc) |
系列 | STL8N80K5 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |