【晶体管 - FET，MOSFET - 单_STL8N10LF3】封装/厂家_STL8N10LF3中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STL8N10LF3

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： STL8N10LF3
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

STL8N10LF3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STL8N10LF3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL8N10LF3价格参考。STMicroelectronicsSTL8N10LF3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 4.3W（Ta），70W（Tc） PowerFlat™（5x6）。您可以下载STL8N10LF3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL8N10LF3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6MOSFET N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	7.8 A
Id-连续漏极电流	7.8 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL8N10LF3STripFET™ III
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STL8N10LF3
Pd-PowerDissipation	70 W
Pd-功率耗散	70 W
Qg-GateCharge	20.5 nC
Qg-栅极电荷	20.5 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	35 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	35 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1 V to 3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1 V to 3 V
上升时间	9.6 ns
下降时间	5.2 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	970pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	20.5nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	35 毫欧 @ 4A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PowerFlat™（5x6）
其它名称	497-13652-1
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF255499?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	50.6 ns
功率-最大值	70W
包装	剪切带（CT）
商标	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-PowerVDFN
封装/箱体	PowerFLAT-8 5x6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	20A （Tc）
系列	STL8N10LF3
配置	Single