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  • 型号: STL8N10LF3
  • 制造商: STMicroelectronics
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STL8N10LF3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STL8N10LF3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL8N10LF3价格参考。STMicroelectronicsSTL8N10LF3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 4.3W(Ta),70W(Tc) PowerFlat™(5x6)。您可以下载STL8N10LF3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL8N10LF3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STL8N10LF3是一款N沟道增强型MOSFET,其应用场景广泛,特别是在需要高效、低损耗和高可靠性的功率控制电路中。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 电源管理
   STL8N10LF3常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在高频开关应用中能够减少传导损耗,提高效率。此外,它还可以用于电池管理系统(BMS),用于控制电池的充放电路径,确保电流在安全范围内流动。

 2. 电机驱动
   在小型电机驱动应用中,如无人机、电动工具、家用电器等,STL8N10LF3可以作为功率级的一部分,用于控制电机的启动、停止和调速。由于其快速的开关速度和低导通电阻,它可以有效地减少发热,延长设备的使用寿命。

 3. 负载切换
   STL8N10LF3适用于各种负载切换应用,如汽车电子中的负载保护电路、工业自动化中的继电器替代方案等。它可以在短时间内快速切换负载,同时提供过流保护功能,防止电路过载损坏。

 4. LED驱动
   在LED照明系统中,STL8N10LF3可以用作电流调节元件,确保LED灯在不同工作条件下保持稳定的亮度。它的低导通电阻有助于减少功耗,提升系统的整体能效。

 5. 消费电子
   STL8N10LF3还广泛应用于消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和其他便携式设备的充电接口保护电路。它能够承受瞬态电压冲击,并且具有较低的导通电阻,减少了发热,提高了设备的安全性和可靠性。

 6. 工业控制
   在工业控制系统中,STL8N10LF3可以用于驱动传感器、执行器等外围设备。它能够承受较大的电流波动,并且具备良好的热稳定性,适合长时间连续工作。

总的来说,STL8N10LF3凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率控制的场景,尤其适合对能耗和温度敏感的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6MOSFET N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.8 A

Id-连续漏极电流

7.8 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL8N10LF3STripFET™ III

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STL8N10LF3

Pd-PowerDissipation

70 W

Pd-功率耗散

70 W

Qg-GateCharge

20.5 nC

Qg-栅极电荷

20.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

35 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

35 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1 V to 3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1 V to 3 V

上升时间

9.6 ns

下降时间

5.2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

970pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

35 毫欧 @ 4A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerFlat™(5x6)

其它名称

497-13652-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF255499?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

50.6 ns

功率-最大值

70W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

PowerFLAT-8 5x6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Tc)

系列

STL8N10LF3

配置

Single

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