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Datasheet下载- 型号： STL8DN10LF3
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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STL8DN10LF3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL8DN10LF3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL8DN10LF3价格参考。STMicroelectronicsSTL8DN10LF3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 70W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)。您可以下载STL8DN10LF3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL8DN10LF3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6MOSFET Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL8DN10LF3STripFET™ III |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL8DN10LF3 |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 970pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6） |
| 其它名称 | 497-13168-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF252579?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A |
| 系列 | STL8DN10LF3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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