ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STL6N2VH5
Datasheet下载- 型号： STL6N2VH5
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STL6N2VH5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL6N2VH5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL6N2VH5价格参考。STMicroelectronicsSTL6N2VH5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 2.4W（Tc） PowerFlat™（2x2）。您可以下载STL6N2VH5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL6N2VH5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6A 6PWRFLATMOSFET N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL6N2VH5STripFET™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL6N2VH5 |
| Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
| Pd-功率耗散 | 2.4 W |
| Qg-GateCharge | 6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 31 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 31 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™ （2x2） |
| 其它名称 | 497-13777-2 |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 商标名 | STripFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 系列 | STL6N2VH5 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
