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STL66DN3LLH5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STL66DN3LLH5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL66DN3LLH5价格参考。STMicroelectronicsSTL66DN3LLH5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 78.5A 72W 表面贴装 PowerFlat™(5x6)。您可以下载STL66DN3LLH5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL66DN3LLH5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL66DN3LLH5是一款晶体管阵列,属于FET(场效应晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该型号的应用场景主要集中在需要高效功率管理、低功耗以及高开关速度的电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: STL66DN3LLH5适合用于各种电源管理系统,例如DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)以及电池充电电路。它能够提供高效的功率转换和稳定的电流输出。 2. 电机控制: 在小型电机驱动应用中,这款MOSFET阵列可以用来控制电机的速度和方向。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗并提高效率。 3. 负载开关: 该器件适用于负载开关设计,用于动态地开启或关闭某些电路部分以节省能源。例如,在移动设备中,它可以用来管理不同组件的供电状态。 4. 信号切换: STL66DN3LLH5可用于高速信号切换场合,如数据通信接口中的信号路径选择。其快速开关能力确保了信号完整性。 5. 背光驱动: 对于LCD显示屏等需要背光支持的应用,该MOSFET阵列可以作为驱动元件来调节LED亮度,实现均匀且节能的显示效果。 6. 消费类电子产品: 包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器在内的许多消费类电子产品都可以利用这种高性能MOSFET进行优化设计。 7. 工业自动化: 在工业领域,这款产品可用于传感器接口、继电器替代方案以及各类过程控制系统中,帮助构建更加紧凑和可靠的硬件架构。 总之,STL66DN3LLH5凭借其卓越的电气性能和可靠性,广泛应用于从家用电器到复杂工业设备的各种环境中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 78.5A PWRFLAT56 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STL66DN3LLH5 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | STripFET™ V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 10A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067 |
供应商器件封装 | PowerFlat™(5x6) |
其它名称 | 497-12271-6 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF252635?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 72W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 78.5A |