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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STL45N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL45N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTL45N65M5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STL45N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL45N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLATMOSFET N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 22.5 A |
Id-连续漏极电流 | 22.5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL45N65M5MDmesh™ V |
数据手册 | |
产品型号 | STL45N65M5 |
Pd-PowerDissipation | 160 W |
Pd-功率耗散 | 160 W |
Qg-GateCharge | 82 nC |
Qg-栅极电荷 | 82 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 11 ns |
下降时间 | 9.3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3470pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 86 毫欧 @ 14.5A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerFLAT™(8x8) |
其它名称 | 497-13776-6 |
功率-最大值 | 2.8W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | STMicroelectronics |
商标名 | MDmesh |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
封装/箱体 | PowerFLAT-4 8x8 HV |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.8A (Ta), 22.5A (Tc) |
系列 | STL45N65M5 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |