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  • 型号: STL45N65M5
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STL45N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL45N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTL45N65M5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STL45N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL45N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLATMOSFET N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

22.5 A

Id-连续漏极电流

22.5 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL45N65M5MDmesh™ V

数据手册

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产品型号

STL45N65M5

Pd-PowerDissipation

160 W

Pd-功率耗散

160 W

Qg-GateCharge

82 nC

Qg-栅极电荷

82 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

75 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

75 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

11 ns

下降时间

9.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3470pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

82nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

86 毫欧 @ 14.5A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerFLAT™(8x8)

其它名称

497-13776-6

功率-最大值

2.8W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

商标名

MDmesh

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

PowerFLAT-4 8x8 HV

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.8A (Ta), 22.5A (Tc)

系列

STL45N65M5

通道模式

Enhancement

配置

Single

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