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产品简介:
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参数 | 数值 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 34 A |
Id-连续漏极电流 | 34 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET N-Ch 650V 0.070Ohm 34A Mdmesh V |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL42N65M5 |
产品型号 | STL42N65M5 |
Pd-PowerDissipation | 208 W |
Pd-功率耗散 | 208 W |
Qg-GateCharge | 100 nC |
Qg-栅极电荷 | 100 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 79 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 79 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
产品种类 | MOSFET |
商标 | STMicroelectronics |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | PowerFLAT-4 8x8 HV |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
系列 | STL42N65M5 |
配置 | Triple Common Source |