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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N CH 75V 40A PWRFLT 5X6MOSFET N-Ch 75 V, 16 mOhm 10 A STripFET III |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
Id-连续漏极电流 | 40 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL40N75LF3STripFET™ III |
数据手册 | |
产品型号 | STL40N75LF3 |
Pd-PowerDissipation | 62 W |
Pd-功率耗散 | 62 W |
Qg-GateCharge | 12 nC |
Qg-栅极电荷 | 12 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 75 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 19 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerFlat™(5x6) |
其它名称 | 497-13535-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF255347?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 62W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
封装/箱体 | PowerFLAT-8 5x6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Tc) |
系列 | STL40N75LF3 |