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  • 型号: STL40N10F7
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STL40N10F7产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STL40N10F7由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL40N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTL40N10F7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 40A(Tc) 5W(Ta),70W(Tc) PowerFlat™(5x6)。您可以下载STL40N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL40N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6MOSFET N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL40N10F7DeepGATE™, STripFET™ VII

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产品型号

STL40N10F7

Pd-PowerDissipation

5 W

Pd-功率耗散

5 W

Qg-GateCharge

14 nC

Qg-栅极电荷

14 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

24 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

24 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1320pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

24 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerFlat™(5x6)

其它名称

497-13968-1

功率-最大值

70W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

24 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

PowerFLAT-8 5x6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

20 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A (Tc)

系列

STL40N10F7

配置

Dual Dual Drain

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