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Datasheet下载- 型号： STL3NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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STL3NM60N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL3NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL3NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTL3NM60N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 600V 650mA（Ta），2.2A（Tc） 2W（Ta），22W（Tc） PowerFlat™（3.3x3.3）。您可以下载STL3NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL3NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 2.2A POWERFLATMOSFET N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL3NM60NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL3NM60N |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 9.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 6.2 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 188pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.8 欧姆 @ 1A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 497-13351-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF252006?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 20.8 ns |
| 功率-最大值 | 22W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.8 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-8 3.3x3.3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 2.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 650mA （Ta）， 2.2A （Tc） |
| 系列 | STL3NM60N |
| 通道模式 | Enhancement |
