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Datasheet下载- 型号： STL30N10F7
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL30N10F7由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL30N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTL30N10F7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 30A（Tc） 75W（Tc） PowerFlat™（5x6）。您可以下载STL30N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL30N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL30N10F7是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于多种电力电子领域。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - STL30N10F7适用于开关模式电源中的功率转换电路，如降压、升压或反激式变换器。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，减少功率损耗。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启动、停止和速度。 - 在H桥电路中，可用于双向电机控制。 3. 负载开关 - 在消费电子设备中，用作负载开关以实现快速开启/关闭功能。 - 可保护电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理 - 用于电池充电和放电管理，例如锂电池保护电路。 - 能够实现电池的充放电路径控制和过流保护。 5. LED驱动 - 用于驱动高亮度LED阵列，特别是在需要精确电流控制的应用中。 - 可通过PWM调光技术调节LED亮度。 6. 汽车电子 - 应用于车载电子设备，如电动窗、雨刷器、座椅调节等系统中的功率控制。 - 符合车规级要求的场景（如果经过相关认证）。 7. 工业自动化 - 用于工业控制中的继电器替代方案，提供更快的开关速度和更长的使用寿命。 - 适用于传感器信号放大或执行器驱动。 8. 逆变器 - 在小型逆变器中用作功率开关，将直流电转换为交流电。 - 适合家用或便携式逆变器应用。 9. 保护电路 - 用于设计过流保护、短路保护和过温保护电路。 - 提供快速响应能力以保护下游设备。 总结 STL30N10F7凭借其低导通电阻（典型值为20mΩ）、高击穿电压（100V）和大电流承载能力（30A），非常适合需要高效功率切换和低功耗的应用场景。其紧凑的封装形式（如TO-220或DPAK）也使其易于集成到各种电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 8A PWRFLAT56MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL30N10F7DeepGATE™， STripFET™ VII |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL30N10F7 |
| Pd-PowerDissipation | 4.8 W |
| Pd-功率耗散 | 4.8 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 4.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 920pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 497-14540-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 14.8 ns |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | * |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 系列 | STL30N10F7 |
| 配置 | Triple Common Source |
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