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Datasheet下载- 型号： STL26NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL26NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL26NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTL26NM60N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 600V 2.7A（Ta），19A（Tc） 125mW（Ta），3W（Tc） PowerFlat™（8x8） HV。您可以下载STL26NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL26NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL26NM60N是一款N沟道MOSFET，具有600V的耐压能力和26A的连续漏极电流能力。这款器件适用于多种高电压、高效率的应用场景，具体包括： 1. 开关电源（SMPS）：STL26NM60N适合用于开关电源中的功率开关，能够高效地进行高频开关操作，提供稳定的输出电压。 2. 电机驱动：在工业控制和家用电器中，该MOSFET可用于驱动直流电机或步进电机，支持高效的PWM调制和快速的开关响应。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，STL26NM60N可以用作功率级开关，将直流电转换为交流电。 4. 电池管理系统（BMS）：适用于高电压电池系统的保护和管理，例如电动汽车或储能系统中的充放电控制。 5. LED驱动：用于大功率LED照明系统的驱动电路中，提供精确的电流控制和高效率的能量转换。 6. 负载切换：在需要高电压切换的场景中，如汽车电子或工业设备，STL26NM60N可以实现快速且低损耗的负载切换。 7. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中作为功率开关使用，确保在主电源中断时能够平稳切换到备用电源。 由于其高耐压和低导通电阻特性，STL26NM60N能够在各种严苛环境下保持高性能和可靠性，非常适合需要高效率和高可靠性的电力电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLATMOSFET N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL26NM60NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL26NM60N |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| Qg-GateCharge | 60 nC |
| Qg-栅极电荷 | 60 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 185 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™ （8x8） HV |
| 其它名称 | 497-11207-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251310?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 125mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-PowerFlat™ HV |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-4 8x8 HV |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/stmicroelectronics-powerflat-8x8/656 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta）， 19A （Tc） |
| 系列 | STL26NM60N |
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