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  • 型号: STL25N15F3
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STL25N15F3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL25N15F3价格参考。STMicroelectronicsSTL25N15F3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STL25N15F3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL25N15F3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 150V 6A POWERFLATMOSFET N-Ch 150 Volt 6 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6 A

Id-连续漏极电流

6 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL25N15F3STripFET™ III

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产品型号

STL25N15F3

Pd-PowerDissipation

80 W

Pd-功率耗散

80 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

57 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

57 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

13 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

29nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

57 毫欧 @ 3A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerFlat™(6x5)

其它名称

497-8785-2

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF220870?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

46 ns

功率-最大值

4W

包装

带卷 (TR)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

57 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

PowerFLAT-8 5x6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

150 V

漏极连续电流

6 A

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A (Tc)

系列

STL25N15F3

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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