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  • 型号: STL23NM60ND
  • 制造商: STMicroelectronics
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STL23NM60ND产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STL23NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL23NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTL23NM60ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 19.5A(Tc) 3W(Ta),150W(Tc) PowerFlat™(8x8) HV。您可以下载STL23NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL23NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

STL23NM60ND

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

FDmesh™ II

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2050pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

70nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

180 毫欧 @ 10A,10V

供应商器件封装

PowerFlat™ (8x8) HV

其它名称

497-11205-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250670?referrer=70071840

功率-最大值

3W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

4-PowerFlat™ HV

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

600V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/stmicroelectronics-powerflat-8x8/656

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

19.5A (Tc)

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