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型号： STL21N65M5
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STL21N65M5产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STL21N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL21N65M5价格参考￥19.44-￥19.44。STMicroelectronicsSTL21N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 650V 17A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） PowerFlat™（8x8） HV。您可以下载STL21N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL21N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	STMicroelectronics
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	STL21N65M5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	MDmesh™ V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1950pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	50nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	179 毫欧 @ 8.5A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007
供应商器件封装	PowerFlat™ （8x8） HV
其它名称	497-10961-6
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250669?referrer=70071840
功率-最大值	3W
包装	Digi-Reel®
安装类型	表面贴装
封装/外壳	4-PowerFlat™ HV
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	650V
特色产品	http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/stmicroelectronics-powerflat-8x8/656
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	17A （Tc）